摘录了关于MOS管DVDT的外语论坛,简要讨论了对MOST的影响及对MOS管的影响。

时间:2019-09-10    来源:365bet体育官网网址    作者:365bet赌博网站
Dv / dt MOSFET速率:
Dv / dt表示随时间的电压变化率。
表示开关期间MOSFET的ds电压变化率。
如果开关引起的dv / dt速度太快,可能会对MOSFET造成错误或永久性损坏。
这取决于应用程序。
以下描述了某些MOSFET的dv / dt性能。
当发生dv / dt斜坡时。
影响MOSFET正常工作的斜率dv / dt为:
(图像正在等待一段时间)
在开关转换期间,漏源电压呈现dv / dt斜率。
MOSFET源极的漏极电压具有dv / dt斜率,其本征体二极管从直接驱动模式转换为反向恢复模式。
MOSFET漏源电压随栅极镜平台而变化
当栅极电压改变时,漏电流改变,结果,漏极电位改变并且漏极电压vGD改变。
当VGS增加时,栅极电压在镜面平台区域不会增加。
(图像正在等待一段时间)